Memoria volatilis

Memoria volatilis,^[1] sive RAM (acronymum e locutione Anglica random access memory), est volatilis computatri memoria ad legendum et scribendum dicatum. Quae memoria est instabilis, quia omnia signa et data quae ei insunt amittuntur cum energia electrica careat vel deficiat.

Cellulae memoriales

Cellulae memoriales elementa computatri memoriae principales sunt. Singularis cellula circuitus electronicus unitatem modo singularem, bit vocata, accipit. Valoris "unum" onere electrico cellula ad logice unum ("1") ponatur, reponatur invicem ad logice nullum ("0"). Valor intra cellulam memorialem persistet donec onus electricum externum mutationem (ponere seu reponere) statūs imperat. Legente intra cellulam valor adipiscitur. Duo genera memoriarum nota sunt, DRAM et SRAM.

Cellulae DRAM transistrum FET cum condensatro continent.

Cellula SRAM cum sex transistrorum.

Primus typus, D-RAM (de dyname), condensatris laborat. Onerante ac deonerante condensatrum cellulae istud valore "1" sive "0" sumitur. De natura, condensatri onus tardius defluit, ergo onus renovandi necesse est. Renovandi autem processu causa, DRAM magis oneris consumit, sed memoriā staticā SRAM memoriae densitas maior est.

Altero in typo S-RAM (de statu), cellulis memorialibus multivibratorum bistabilium circuitus (flip-flop), transistrum effecti campi (FET) adhibentes, sunt. Pro eo, SRAM oneris consumptio electrici parva est, at densitas minor quoque.

Nexus interni

Discus fixus
ROM, contrarium

Notae

↑ John C. Traupman, Conversational Latin for Oral Proficiency, ed. tertia. p. 368; Latin and English Dictionary, ed. tertia (Novi Eboraci: Bantam Books, 2007), 633, s.v. RAM.

Bibliographia

Commentarius de RAM ex Encyclopaedia Britannica.

[1] John C. Traupman, Conversational Latin for Oral Proficiency, ed. tertia. p. 368; Latin and English Dictionary, ed. tertia (Novi Eboraci: Bantam Books, 2007), 633, s.v. RAM.

[1]