Quantum redactiones paginae "Memoria volatilis" differant
Content deleted Content added
No edit summary |
mNo edit summary |
||
Linea 1:
{{latinitas}}
'''RAM''' ([[acronymum]] e locutione [[Anglica]] ''random access memory'') est volatilis [[computatrum|computatri]] [[memoria computatralis|memoria]] ad legendum et scribendum dicatum. Haec memoria est volatilis quia omnia [[signum|signa]] et [[data]] quae ei insunt amittuntur, [[energia]] [[electricitas|electrica]] deficiente.
== Cellulae memoriales ==
Cellulae memoriales elementa computatri memoriae principales sunt. Singularis cellula [[circuitus electronicus]] unitatem modo singularem, [[bit]] vocata, accipit. Valoris "unum" [[onus electricum|onere electrico]] cellula ad ''logice unum'' ("1") ponatur, reponatur invicem ad logice nullum ("0"). Valor intra cellulam memorialem persistet donec onus electricum externum mutationem (ponere seu reponere) statūs imperat. Legente intra cellulam valor adipiscitur. Duo typi memoriarum noti sunt, DRAM et SRAM.
{| style="text-align:center; margin: 1em auto 1em auto"
|[[Fasciculus:DRAM Cell Structure (Model of Single Circuit Cell).PNG|thumb|Cellulae DRAM [[transistrum]] [[transistrum effecti campi|FET]] cum [[condensatrum|condensatro]] continent.]]||[[Fasciculus:SRAM Cell (6 Transistors).svg|thumb|Cellula SRAM cum sex transistrorum.]]
|}
Primus typus, D-RAM (de '''d'''yname), [[condensatrum|condensatris]] laborat. Onerante ac deonerante condensatrum cellulae istud valore "1" sive "0" sumitur. De natura, condensatri onus tardius defluit, ergo onus renovandi necesse est. Renovandi autem processu causa, DRAM magis oneris consumit, sed memoriā staticā SRAM memoriae densitas maior est.
Altero in typo S-RAM (de '''s'''tatu), cellulis memorialibus [[multivibrator]]um bistabilium circuitus (''flip-flop''), [[transistrum effecti campi]] (''FET'') adhibentes, sunt. Pro eo, SRAM oneris consumptio electrici parva est, at densitas minor quoque.
{{NexInt}}
| |||